مرتضى علي
ناقشت رسالة ماجستير في كلية التربية للعلوم الصرفة (تأثيرات الإجهاد والمجال الكهربائي على التركيب الإلكتروني والخصائص البصرية لـGaN/BAsمتغاير البُنى)،للطالب علي عبد عون عطيه، بإشراف الأستاذ الدكتور حمد رحمن جبر.تضمنت الدراسة إجراء حسابات المبادئ الأولية لاستقصاء الخصائص البصرية والإلكترونية لثنائي الأبعاد GaN/Bas فان دير فالس متغاير البنى.وأثبتت النتائج أن متغايرة البُنى GaN/BAs هي أشباه موصلات ومستقرة ديناميكيا وفقا لحسابات الفونون، وأن التكدسABو BBيمتلك فجوات طاقة غير مباشرة تبلغ حوالي 1.71 و1.685الكترون فولت على التوالي، كما أشارت إلى أن تكديسAA يظهر فجوة طاقة مباشرة مقدارها 0.676 الكترون فولت، وكلا من الحد الأدنى لحزمة التوصيل والحد الأعلى لحزمة التكافؤ يقع عند المسار بين النقاطM – K .