عباس الجبوري
نشر فريق بحثي مؤلف من الدكتور غالب عبد الوهاب الدهش، والدكتورة جنان علي عبد، وطالبة الماجستير شهد ظافر ناصر حسين بحثا بعنوان (تاثير تشويب الخارصين على الخواص الفيزيائية لاغشية اوكسيد الانديوم المحضرة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي) في مجلة أمريكية عالمية سكوبس .وقال الفريق تم استخدام تقنية الترسب بالليزر النبضي لتحضير ودراسة تأثير نسب التشويب ( Zn)على خواص الأغشية الرقيقةIn2O3.وتمت دراسة التركيب البلوري ومورفولوجيا السطح والخصائص البصرية للأغشية المحضرة النقية والمشوبة.حيث يؤكد فحص XRDأن جميع الاغشية المحضرة تمتلك تركيب بلوري (مكعب) متعدد التبلور ,والمستوى السائد هو((222. ان الحجم البلوريلغشاءIn2O3 النقي هو حوالي 33.49نانومتروقيم الاغشية المشوبة تزيد قليلاً مع زيادة مستوى التشويب لتصبح بحدود (34.19 نانومتر) مع الحفاظ على الحجم ضمن المستوى النانوي.
وبين الدكتور غالب من خلال البحث تبين ان نتائج حسابات الانخلاعات تشير الى زيادة ملحوظة بزيادة نسب التشويب عند الاتجاه السائدة ،بين فحص مجهر القوة الذرية أن القواعد الاساس ذات ترسيب جيدً اومتوسط الحجم الحبيبي للغشاء النقي.11 64نانومترفي حين ازداد الحجم الحبيبي للأغشية المشوبةإلى89.94 نانومتر لمستوى لتشويب العالي(0.09wt). يتميزغشاء In2O3 النقي بنفاذية عالية تصل في منطقة الاشعة فوق البنفسجية،في حين انخفضت قيم جميعا لاغشية المشوبة بوضوح نتيجة لارتفاع مستوى التشويب.واوضحت الطالبة شهد ان القيمة المحسوبة لفجوة الطاقة للغشاء النقيهي3.7 الكترون فولت،وقد انخفض تجميع قيم فجوة الطاقة للأغشية المشوبة إلى لتصبح3.4 الكترون فولت لمستوى التشويب العالي(0.09wt).تم زيادة الموصلية وتراكيز الحاملات عند مستويات التشويب الدنيا (0.03wt).